FLASH和EEPROM的区别和扩展

seo靠我 2023-09-23 18:26:04

EEPROM和FLASH总体差异

部分MCU片内不带程序存储器ROM，可执行代码只能放在外面的EEPROM、FLASH(外扩)中；

单片机对于数据的处理和系统的大量数据采集，需要考虑数据的长期保存和掉电保SEO靠我存等问题，因此外扩EEPROM就是这系统常见的模块。外扩的EEPROM也可以用来存储一些参数，保存一些掉电后需要保存的数据等。

一、EEPROM容量小、K字节级别，按bit操作，可读可写，一般保存当前SEO靠我工作状态，多用数据存储。

以字节byte为最小修改单元

例：电视机中用户改了音量值之后，这个值就是保存在这里的，当再次开机时，系统就会先把这个值读到然后音量设置到关机前的状态，当用户再次更改音量时，这个值SEO靠我会被重新改写。

如果没有EEPROM，就不能保存用户更改的值了，那每次开机都是最原始的数据。

EEPROM是为更改固化程序，如打补丁，或升级新版本固化程序准备的，如电脑主板BIOS芯片

EEPROM如接口卡SEO靠我中用来存放硬件设置数据

EEPROM如特殊数据的加密存储，增加安全性

接口: I2C 、SPI

EEPROM的概念接口类型及软件实例

EEPROM的接口一般分为两种：四线SPI和两线I2C

EEPROM的扩展

二、SEO靠我FLASH容量大、M字节级别，按块擦除，页，字节读取，可读可写（多用于读）程序都存在这里。

BOOT[1-0]来选择启动的 flash

容量大小，数据读写速率

是主要的区别。

举几个例子：都可以做CPU/ASEO靠我SIC芯片的启动程序，比如PHY ,SW 常用EEPROM，因为代码小吗，256K之内就够了；但是CPU的起动代码通常EEPROM搞不定，而且CPU通常还有操作系统，可以存在EEPROM（BOOT）+SEO靠我FPASH（system）的模式，但是一眼看去，不如把FLASH分区，把2部分东西都装下。

EEPROM通常还有就是存单板信息，厂家信息，PCB信息，MAC地址这些，配置信息这些基本的东西，通常是在工厂SEO靠我烧入，然后焊接在单板上，就跟你在单板打丝印一样，就是个标识。

接口：FSMC接口、SPI接口、 QSPI接口，

EEPROM扩展

Microchip收购Atmel

上电时，可将ATAES132A配置为使用SPISEO靠我或I2C接口对接至大多数微控制器。

当采用I2C模式时，不使用片选引脚，并且必须将该引脚连接到电源或接地。

当配置用于SPI模式时，按照常规会使用片选引脚。

a、EEPROM I2C通讯

AT24C02 是SEO靠我串行CMOS类型的EEPROM存储芯片，AT24C0x这个系列包含了AT24C01、AT24C02、AT24C04、AT24C08、AT24C16、AT24C512这些具体的芯片型号。

他们容量分别是：SEO靠我1K (128 x 8)、2K (256 x 8)、4K (512 x 8)、8K (1024 x 8)、16K (2048 x 8) ，其中的8表示8位(bit)

原文链接：STM32入门开发: 介SEO靠我绍IIC总线、读写AT24C02(EEPROM)(采用模拟时序)_DS小龙哥的博客-CSDN博客_at24c02与stm32连接图

b、EEPROM SPI通讯

嵌入式linux开发 (十一) FLASSEO靠我H(1) stm32外扩EEPROM___pop_的博客-CSDN博客

STM32：SPI总线、W25Q64（FLASH）的详细介绍-电子发烧友网

FLASH扩展

STM32：SPI总线、W25Q64（FLSEO靠我ASH）的详细介绍

a、STM32外扩展SRAM接口：也是FSMC接口，

FSMC——扩展外部的SRAM

STM32外拓SRAM

STM32学习之FSMC

STM32学习之FSMC_扩展SRAM

stm32 FSSEO靠我MC模拟8080时序模拟显存点亮液晶LCD

stm32f1系列芯片使用FSMC外设来管理扩展的存储器，FSMC灵活地静态存储器控制器，他可以用于驱动包括SRAM、NORflash、NANDflashSEO靠我类型的存储器，不能驱动如SDRAM这种动态的存储器。

在STM32F429中，具有FMC外设，支持FMC，可以控制SDRAM存储器

SRAM：静态随机存取存储器，易失性存储器，读写速度非常快，适合做内存，SEO靠我但是非常贵。

SRAM的引脚图：A是地址线、IO是数据线，就是通过地址去访问数据。

原文链接：https://blog.csdn.net/weixin_45589030/article/details/1SEO靠我20091238

b、flash扩展：FSMC接口

FSMC接口

STM32_FSMC接口扩展 FlaSh 存储器

c、flash扩展：SPI接口、 QSPI接口

QSPI和SPI是什么关系，区别是什么？

SPISEO靠我和QSPI协议学习

FLASH电路

NAND FLASH 时序读取操作高速布线

1、单片机---HLK-W801外部扩展flash_外扩flash

背景介绍

今天想扩展一下Flash存储，用了一片常用的W25SEO靠我Q64的 NOR FLASH芯片，通过SPI接口方式，与单片机HLK-W801进行连接，并进行数据存储和读取。

W25Q64 64Mbit =8MB的大小

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Flash基础知识

以W25Q128为例：128Mbit =16MB的大小

块：Block，每个块可以是32KB（8个扇区），64KB（16个扇区）

扇区：Sector，每个扇区4KB=16页

页：PaSEO靠我ge，每页256Byte（字节）

总共：16MB=16*1024*1024B/256=65536个页。

Flash芯⽚内的数据只能由1变0，不能由0变1

块是上层软件中（操作文件时）使用的最小的操作单元，就SEO靠我是（操作文件时）一个块一个块进行操作（块的大小格式化时可以设置【如linux、fatfs等等】）。

擦除可以按16页（即一个扇区擦除，4KB）、按128页擦除（8个扇区，32KB块擦除）、按256页擦除SEO靠我（16个扇区，64KB块擦除）或者整片擦除。

每次编程数据为256字节。

2、STM32：SPI总线、W25Q64（FLASH）的详细介绍重点

W25Q系列的器件在灵活性和性能方面远远超过普通的串行闪存器件SEO靠我。W25Q64将8M字节的容量分为128个块，每个块大小为64K字节，每个块又分为16个扇区，每个扇区4K个字节。W25Q64的最小擦除单位为一个扇区，也就是每次必须擦除4K个字节。所以，这需要给W2SEO靠我5Q64开辟一个至少4K的缓存区，这样必须要求芯片有4K以上的SRAM

才能有很好的操作。

W25Q64的擦写周期多达10W次，可将数据保存达20年之久，支持2.7~3.6V的电压，支持标准的SPI，还支SEO靠我持双输出/四输出的SPI，最大SPI时钟可达80MHz。

3、W25Q64 NOR Flash芯片 - 百度文库

SPI通讯

F_CS 、SPI_MISO、SPI_SCK和SPI_MOSI四个引脚与单片机的SEO靠我IO口连接，可以是单片机的硬件SPI接口，也可以通过普通IO口来模拟SPI协议。

原文链接：4、https://blog.csdn.net/chengoes/article/details/115429SEO靠我426

中文手册：

驱动W25Q64

我用的是W25Q64，是一个8MB的flash，W801源码中，有一个gd25qxx的驱动，基本是可以通用的，但是有两个问题，需要解决。

读取ID失败，W25Q64的读ISEO靠我D指令是0x90，所以我这里增加了一个宏定义开关

原文链接：5、https://blog.csdn.net/baidu_19348579/article/details/123983741

6、STM32SEO靠我CubeMX学习笔记（10）——SPI接口使用（读写SPIFlashW25Q64） - 百度文库

7、STM32CubeMx之硬件SPI驱动W25Q64_IT_阿水的博客-CSDN博客_w25q64驱动SEO靠我

8、STM32驱动SPI FLASH(W25Q64)_宁静致远2021的博客-CSDN博客_w25q64驱动

9、STM32系列(HAL库)——F103C8T6通过SPI方式读写W25Q64—(FlasSEO靠我h存储模块)_嵌入式创客工坊的博客-CSDN博客_io模拟spi读取w25q64

Eeprom的背景

一、特点不同

1、ROM特点：只读存储器（Read-Only Memory，ROM）以非破坏性读出方式工SEO靠我作，只能读出无法写入信息。

2、RAM特点：随机存取存储器（英语：Random Access Memory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而SEO靠我且速度很快。

二、保存方式不同

1、ROM保存方式：如果突然停电或者没有保存就关闭了文件，那么ROM可以随机保存之前没有储存的文件。

2、RAM保存方式：如果突然停电或者没有保存就关闭了文件，那么RAM会使SEO靠我之前没有保存的文件消失。

ROM和RAM的其它相关介绍：

由于ROM具有断电后不丢失信息的特点，可以作为计算机启动的BIOS芯片。EPROM、EEPROM和Flash ROM(NOR Flash 和 NASEO靠我ND Flash)，性能同ROM，但可以重写。

一般来说，阅读比写作快，写作需要比阅读更高的电压。（读5V，写12V），但flash可以在相同电压下读写，容量大，成本低。如U盘MP3中使用广泛。

电脑上我SEO靠我们通常说的内存也就是RAM，也就是运行内存，断电关机后清除所有数据。

PROM(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)一次可编程只读存储器只允许写入一次

EPROM（ErasaSEO靠我ble Programmable Read-Only Memory）是一种非易失性存储芯片，一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。

EEPROM (Electrically ErasablSEO靠我e Programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器。

单片机内部的rom只能在程序下载的时候进行下载和改写，但是在程序运行过程中是不可改写。掉电不会丢失。

单片机SEO靠我的ram数据在程序运行过程中是可以更改的，但是掉电会丢失。

我们如果需要掉电不丢失而且程序还能更改，显然rom和ram都无法满足，此时就可以使用eeprom

flash:

flash属于广义的EEPROM，SEO靠我因为它也是电擦除的rom。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。

flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了SEO靠我成本。上M的rom一般都是flash。

EEPROM和flash的区别和联系

1、擦写方式不同

FLASH在写新的数据前必须先擦除，而且经常是只允许整页擦除，没有办法擦除一个字节，换句话说，只能成块的读写，SEO靠我特别是写。

EEPROM写之前不需要擦除，可以每次改写一个字节。当然，也有缺点，EEPROM读写速度慢，另外，容量比较小，也就是说EEPROM要贵。

2、使用情况不同

对单片机来说，关键性的数据，如传感器的SEO靠我标定数据，用户配置参数等，用EEPROM存储；

而像文件等大容量的数据记录，或者经常读但很少写的数据，可以用FLASH闪存存储，像图片、字库、文件记录。

除了操作次数相当高外，操作时间也很短，基本上命令发SEO靠我完就完成了读写操作，不需要eeprom的写等待查询。

3、擦写次数不同

eeprom比flash多很多，一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次（现在有些已经到了上万次），eeprom的数据比这SEO靠我个大，但普通eeprom也是有限制。

eeprom在系统中的存在方式：一种是在单片机内部集成的，另一种是外扩的。

EEPROM的编程方式：

1、I2C底层时序

2、器件定义的寄存器读写时序

Flash和EEPRSEO靠我OM区别差异及关系解析-电子发烧友网

EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成SEO靠我芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12~24V，随不同的芯片型号而定）。

EPROM的型号是以27开头的，SEO靠我如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。

---- EEPROM拯救SEO靠我了这一切

EEPROM的出现可以说是跨时代的，因为ROM可以多次编程了，对于程序员来说，终于可以多次烧写单片机了，更让我们兴奋的是，我们可以使用电擦除，而不是紫外线擦除了。

从擦除次数上，EEPROM可以SEO靠我擦除100W次，而且EEPROM可以针对每一个区块，也就是每一个位置写「0」或者写「1」，如果大家知道FLASH特性的话，就会觉得EEPROM是多么优秀。而且数据的保存时间可以达到100年。

当然SEO靠我了，特点就是电路复杂，成本高，因为成本高就导致了EEPROM的大小不是非常大，一般在512KB 以下。

---- Flash:

如果从电擦除这个特性上说的话，FLASH也是EEPROM的一种，不同的是，FSEO靠我LASH的擦除区块不是一个字节，而是扇区来擦除，也是因为这样的特性，才导致FLASH价格比EEPROM便宜。

为什么单片机中还要既有Flash又有EEPROM呢？

不仅仅是单片机，很多ARM处理器也是这样SEO靠我，需要有ROM来存储WIFI、蓝牙的MAC地址之类的。

简单来说，当然是为了省钱啊，如果有钱，我肯定是放几个G的EEPROM，不用就放着也可以，但是实力不允许啊(EEPROM贵， FLASH便宜)。

EESEO靠我PROM就用来存储一些小东西，比如开机次数，常用的标志位之类的东西。

FLASH就用来存储比较大的，比如固件，如果是MP3这类的产品，就可以用FLASH来保存歌曲。

一、什么是EEPROM

EEPROM 是SEO靠我电可擦可编程只读存储器，一种掉电后数据不丢失的存储芯片。

二、什么是FLASH

Flash memory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品。

三、两者对比

相同SEO靠我点：两者都能掉电存储数据，不丢失数据，都属于广义的ROM

区别：

　　1）FLASH按区块操作，EEPROM则按字节操作

　　2）FLASH写入时间长，EEPROM写入时间短

3）FLASH擦写次数少（1万次），EESEO靠我PROM次数多（100万次）

　　4）FLASH的电路结构较简单，成本低，EEPROM工艺复杂，成本高

5）FLASH用作程序存储器，EEPROM用作数据存储器

　数据存储器不能用FLASH，因为：

1:FLASHSEO靠我有一定的擦除、写入次数，一般的单片机的FLASH擦除写入次数的标称值是10000次。

　　2:FLASH写入数据需要比较长的时间，大约需要4-6ms.而且写FLASH需要加上9V的高压，麻烦。

EEPROM可SEO靠我以作为数据存储器，但是少，因为：

但是单片机一般用RAM作为数据存储器，因为EEPROM工艺复杂，成本高，适合于存储掉电保护的数据，而这类数据往往不需要存储太多。

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原文链接：https://blog.csdn.net/xix_yu/articleSEO靠我/details/121877385

定义

FLASH和EEPROM都属于广义的ROM，掉电数据不丢失。

读写特性

FLASH是块擦除的，EEPROM任意bit可修改。

NAND FLASH只能按页读取，NORSEO靠我 FLASH可按字节读取，EEPROM任意bit读取。

成本和寿命

NAND成本最低，NOR成本也很低，EEPROM成本高

NAND适合做大容量数据存储；NOR因为支持字节读取，适合做程序存储器；EEPROSEO靠我M适合做小容量的片内存储器。

NAND擦写次数约十万次；NOR擦写次数约一万次；EEPROM擦写次数约一百万次。

产品和应用

NAND一般是SPI接口，密度高、擦写快，控制略复杂。用在存储设备上，如U盘、SSEO靠我D和MMC等

NOR可以提供SRAM接口，直接可访问，作为程序执行接口。用于MCU的程序存储。

EEPROM读写简单，一般用于高可靠性小容量的片上存储。