pspice介绍1（转载）

PSpice的主要功能及特点：

OrCAD软件的主要组成包括：OrCAD/Capture CIS、OrCAD/Layout Plus、OrCAD/Express及OrCAD/PSpice。它们分别是：电SEO靠我路图设计、电路板设计、可编程逻辑器件设计及模拟/数字混合电路仿真。电路原理图绘制后可直接进行仿真及设计。与同一个电路设计相关的电路原理图、仿真和设计中采用的参数设置、设计资源、生成的各种文件、分析结果SEO靠我等内容都由Project Manager统一管理。

下面主要介绍OrCAD/Capture CIS和OrCAD/PSpice软件。

OrCAD/Capture CIS：

OrCAD/Capture CIS是SEO靠我一个功能强大的电路原理图设计软件，可生成各类模拟电路、数字电路和模/数混合电路的电路原理图外，还配备有元件信息系统CIS（Component Information System），可以对元器件的采用SEO靠我实施高效的管理。

它的主要构成有设计项目管理模块（Project Manager）、电路图绘制模块(Page Editor)、元器件库(Library)、建库模块(Part Editor)及CIS等。

1SEO靠我．  项目的设计：

开始设计一个新项目之前，首先要确定项目类型，本软件提供了以下四种项目类型，以此概括了本软件包所能实现的所有功能。

（1）       Analog or Mixed A/D

（2）   SEO靠我    PC Board Wizard

（3）       Programmable Logic Wizard

（4）       Schematic

若完成电路图后进行仿真，选择（1）Analog or SEO靠我Mixed A/D；电路图完成后用于印制电路板的设计应选择（2）PC Board Wizard；电路图完成后用于CPLD或FPGA设计则选择（3）Programmable Logic Wizard；若SEO靠我只是单纯绘制电路图，选择（4）Schematic。

2．  器件符号库：

在绘制和编辑电路图时，所需的元器件及电路符号，需从OrCAD/Capture提供的元器件符号库中调用。元器件库文件中包括四万多种常SEO靠我用的元器件符号，以及元器件的特性参数模型和封装信息。元件库都放在LIBRARY子目录下，若进行仿真的电路，其元器件要从LIBRARY子目录下的PSPICE子目录下的元件库中调用。

器件库中还包括PSpiSEO靠我ce的模拟行为模型，为用户提供一个简便的方式去仿真一块尚未完成或是极复杂的子电路。用户可自行定义或使用已经建好的模拟行为元件，它运用描述电路特性的方式而不需要以真实电路来输入与仿真，可大幅精简仿真的时SEO靠我间和复杂度。

3．软件还提供了Part Editor模块，可以修改库文件中的图形符号或添加新的内容。用户还可以通过Internet，从指定的数据库中查寻上百万个元器件的最新信息，将需要的元器件放入电路或SEO靠我添加到元件库中。

4．元器件信息管理系统（CIS），不仅对元器件的使用和库存实施高效的管理，而且还具有互联网元器件助理（ICA）功能。

5．电路设计的后处理工具（Processing Tools），对设计SEO靠我好的电路图，对图中元器件进行自动编号、设计规则检查、输出各种统计报告及可生成四十种电连接网表文件供其它CAD软件调用。

OrCAD/PSpice：

OrCAD/PSpice是一个通用电路仿真软件，可对模拟SEO靠我电路、数字电路及模拟/数字混合电路进行仿真，能够显示信号波形、并对波形进行各种运算处理，可提取电路特性参数并分析与元器件参数的关系。

软件的主要构成有：

1．  原理图输入程序Schematics：PSpSEO靠我ice以OrCAD/Capture作为前端模块。其利用Capture的电路图输入功能及设计项目统一管理功能。

2．激励源编辑程序Stimulus Editor：PSpice中信号源的种类很多，PSpicSEO靠我e用激励源编辑程序以交互方式生成电路模拟中需要的各激励信号波形。

3．电路仿真程序PSpice A/D：是PSpice的核心部分。最新版本的仿真功能包括：基本直流工作点计算(Bias Point)、直流SEO靠我特性扫描(DC Sweep)、交流小信号特性分析(AC Sweep/Noise)和瞬态分析(Time Domain (Transient))四种基本的分析类型,每一种分析中均可同时包括灵敏度分析、温度SEO靠我特性、参数扫描、蒙特卡洛分析和直流工作点的存取等。

电路仿真程序接受电路原理图输入程序的电路拓扑和元器件参数信息，经过元器件模型处理形成电路方程，求电路方程的数值解，最后给出计算结果。仿真结果一般由图形SEO靠我文件（*．DAT）和数据文件（*．OUT）两部分组成。

4．输出结果分析、绘图程序Probe：功能有仿真结束后显示电路中的节点电压、支路电流波形、仿真结果的再分析处理、数字电路中逻辑错误问题的检测。

5．SEO靠我模型参数提取程序Model Editor：电路仿真的精度很大程度上取决于电路中代表各种元器件特性的模型参数值是否精确。PSpice A/D提供的模型参数库中有超过11300种的半导体器件和模拟集成电路SEO靠我产品的模型参数及超过1600种数字电路单元产品的参数。如果用户采用的元器件在模型参数库中没有，可调用该软件，用户给出元器件的特性参数，即可生成仿真时需要的模型参数。 Model Editor可以统一处SEO靠我理以文本和修改规范两种形式提取模型参数，且新增了达林顿器件的模型参数提取。完成模型参数提取后，自动在图形符号库中增添该器件符号。

6．优化程序Optimizer：该程序可在电路模拟的基础上，根据用户规定SEO靠我的电路特性约束条件自动调整电路元器件参数，以满足某一电路指标要求。

5.3.2  PSpice A/D中的一些规定

1．  PSpice A/D支持的元器件类别及其字母代号如表5-3-1所示。

表5-3-1SEO靠我  元器件类别及其字母代号

字母代号

      元器件类别

字母代号

元器件类别

    B

GaAs 场效应晶体管

    N

数字输入

    C

电容

O

数字输出

    D

二极管

    Q

双极晶体管

    E

受电压控制的电压源

    R

电阻

    F

受电流控制的电流源

    S

电压控制开关

    G

受电压SEO靠我控制的电流源

    T

传输线

    H

受电流控制的电压源

    U

数字电路单元

    I

独立电流源

U STIM

数字电路激励信号源

    J

结型场效应晶体管（JFET）

V

独立电压源

    K

互感（磁芯），传输线耦合

    W

电流控制开关

    L

电感

    X

单元子电路调用SEO靠我

    M

MOS场效应晶体管（MOSFET）

    Z

绝缘栅双极晶体管（IGBT）

2．PSpice中的数字、单位和运算式

在PSpice A/D中，数字采用通常的科学表示方式，即可以使用整数、小数和以10为底的指数。用SEO靠我指数表示时，字母E代表作为底数的10。对于比较大或比较小的数字，还可以采用10种比例因子，如表5-3-2所示。使用时表中符号不分大、小写。

表5-3-2  数字表示方式

符号

比例因子

名称

F

10E-15

(fSEO靠我emto-)

P

10E-12

(pico-)

      N

10E-9

(nano-)

      U

10E-6

(micro-)

     MIL

25.4*10E-6

(mil-)

      M

10E-3

(milli-)

      K

10E3

(kilo-)

     MEG

10E6

(SEO靠我mega-)

      G

10E9

(giga-)

      T

10E12

(tera-)

在PSpice A/D中采用的是实用工程单位制，即时间单位为秒，电流单位为安培，电容单位为法拉，……，在运行过程中，PSpice A/D会SEO靠我根据具体对象，自动确定其单位。因此在实际应用中，代表单位的字母可以省略。

PSpice A/D中的表达式由运算符、数字、参量和变量构成。

3．电路图中的节点编号和输出变量表达式

1．SOURCE库中有许多电SEO靠我源符号，针对于不同的电路仿真功能，要选择不同的电源及设置。以下对一些常用的电源作简要介绍,如表5-3-5所示。

表5-3-5  常用的电源极其设置

符号名称

在电路特性仿真中的作用

DC Sweep

AC SwSEO靠我eep

Time Domain(Transient)

VDC

设置直流电压

设置交流信号振幅

VAC

设置直流电压

设置交流信号振幅

VPULSE

设置直流电压

设置交流信号振幅

设置脉冲信号波形

VPWL

设置直流电压

设置交SEO靠我流信号振幅

设置分段线性信号波形

VSIN

设置直流电压

设置交流信号振幅

设置调幅信号波形

VSFFM

设置直流电压

设置交流信号振幅

设置调频信号波形

VEXP

设置直流电压

设置交流信号振幅

设置指数信号波形

2．瞬态分析SEO靠我中各电源的设置及波形（波形见图5-3-20）

（1）       VPULSE：脉冲信号源

V1：起始电压(一般设为低电平电压)，现在设为-1V。

V2：脉冲电压(一般设为高电平电压)，现在设为3V。

TD：SEO靠我由零秒到起始电压爬升的延迟时间，现在设为1ms。

    TR：由起始电压上升至脉波电压所需时间。现在设为0.5ms。

    TF：有脉波电压下降至起始电压所需时间。现在设为1ms。

PW：脉波宽度，即脉波电压存在的时间SEO靠我长度。现在设为1ms。

PER：信号周期，现在设为4ms。

（2）       VPWL：折线波信号源

主要是依据用户设置的坐标值表格而建立的，各坐标间的信号就是这二点间的直线连线电压。现设置坐标为：

T1=SEO靠我0时V1=-1V，T2=1ms时V2=2V，T3=3ms时V3=1V。

（3）       VSIN：调幅（正弦波）信号源

VOFF：直流基准电压，现在设为0V。

       VAMPL：幅度电压，现在设为10mV。

FSEO靠我REQ：信号频率，现在设为1kHz。

       TD：延迟时间，现在设为0ms。

DF：阻尼系数，现在设为0，单位为秒的倒数。

PHASE：相位，现在设为0。

（4）       VSFFM：单频调频波信号源

VOFF：SEO靠我直流基准电压，现在设为1V。

VAMPL：幅度电压，现在设为2V。

FC：载波信号频率，现在设为3kHz。

MOD：调制系数，现在设为2。

FM：被调制信号频率，现在设为500Hz。

（5）       VEXSEO靠我P：指数波信号源

V1：起始电压（一般设为低态电压），现在设为-1V。

    V2：峰值电压，现在设为2V。

    TC1：电压上升的时间常数，现在设为0.5ms。

TD1：由零秒到起始电压开始上升的延迟时间，现在设为1SEO靠我ms。

    TC2：电压下降的时间常数，现在设为0.2ms。

TD2：由峰值电压开始下降的延迟时间，现在设为4ms。

图5-3-20  瞬态分析中各电源的波形仿真

5.3.7  常用的模拟器件

表5-3-6  常用SEO靠我的模拟器件

名称

类型

名称

类型

D1N750

稳压二极管

J2N3819

N沟道JFET

MV2201

压变电容二极管

J2N4393

N沟道JFET

D1N4002

功率二极管

IXGH40N60

N沟道IGBT

D1N4148SEO靠我

开关二极管

LM324

线性运算放大器

MBD101

开关二极管

LF411

JFET输入级线性运算放大器

Q2N2222

NPN 型BIT

uA741

线性运算放大器

Q2N2907A

PNP 型BIT

LM111

线性运算放SEO靠我大器

Q2N3904

NPN 型BIT

IRF150

N型功率MOSFET

Q2N3906

PNP 型BIT

IRF9140

P型功率MOSFET

Model Editor可以统一处理以文本和修改规范两种形式提取模型参SEO靠我数来建立新模型，常用的模型参数如下表所示。

表5-3-7  二级管模型参数

序号

符号

SPICE关键字

名   称

隐含值

单位

举例

1

IS

IS

饱和电流

10-14

A

2*10-15A

2

RS

RS

欧姆电阻

0

Ω

10Ω

3

n

NSEO靠我

发射系数

1

1.2

4

τD

TT

渡越时间

0

s

1ns

5

CJO

CJO

零偏置结电容

0

F

2pF

6

φD

符号

SPICE关键字

名      称

默认值

单位

举例

1

VTO

VTO

零偏阈值电压

1.0

V

1.0V

2

KP

KP

跨导参数

2 SEO靠我10-14

A/V2

3 10-5A/V2

3

γ

GAMMA

体材料阈值参数

0.0

V1/2

0.35 V1/2

4

2 P

PHI

表面电势

0.6

V

0.65V

5

λ

LAMBDA

沟道长度调制系数

0.0

V-1

0.02V-1

6

tSEO靠我OX

TOX

氧化层厚度

1 10-7

m

1 10-7m

7

Nb

NSUB

衬底惨杂浓度

0.0

cm-3

1 10-15cm-3

8

NSS

NSS

表面态密度

0.0

cm-2

1 10-10cm-2

9

NFS

NFS

快表面态密度

0.SEO靠我0

cm-2

1 10-10cm-2

10

Neff

NEFF

总沟道电荷系数

1

5

11

XJ

XJ

结深

0.0

m

1 10-6m

12

Ld

LD

横向扩散长度

0.0

m

0.8 10-6m

13

TPG

TPG

硅材料类型

1(硅栅)

0(铝SEO靠我栅)

14

μO

UO

载流子表面迁移率

600

cm2/(V*s)

700cm2/( V*s)

15

Ue

UCRIT

迁移率下降时临界电场

1 104

V/cm

1 104V/cm

16

Ue

UEXP

迁移率下降时临界电场系数

0.SEO靠我0

0.1

17

Ut

UTRA

迁移率下降时横向电场系数

0.0

0.5

18

vmax

符号

SPICE关键字

名      称

默认值

单位

举例

1

VTO

VTO

零偏阈值电压

1.0

V

1.0V

2

KP

KP

跨导参数

2 10-14

A/SEO靠我V2

3 10-5A/V2

3

γ

GAMMA

体材料阈值参数

0.0

V1/2

0.35 V1/2

4

2 P

PHI

表面电势

0.6

V

0.65V

5

λ

LAMBDA

沟道长度调制系数

0.0

V-1

0.02V-1

6

tOX

TOX

氧化SEO靠我层厚度

1 10-7

m

1 10-7m

7

Nb

NSUB

衬底惨杂浓度

0.0

cm-3

1 10-15cm-3

8

NSS

NSS

表面态密度

0.0

cm-2

1 10-10cm-2

9

NFS

NFS

快表面态密度

0.0

cm-2

1 SEO靠我10-10cm-2

10

Neff

NEFF

总沟道电荷系数

1

5

11

XJ

XJ

结深

0.0

m

1 10-6m

12

Ld

LD

横向扩散长度

0.0

m

0.8 10-6m

13

TPG

TPG

硅材料类型

1(硅栅)

0(铝栅)

14

μO

USEO靠我O

载流子表面迁移率

600

cm2/(V*s)

700cm2/( V*s)

15

Ue

UCRIT

迁移率下降时临界电场

1 104

V/cm

1 104V/cm

16

Ue

UEXP

迁移率下降时临界电场系数

0.0

0.1

17

USEO靠我t

UTRA

迁移率下降时横向电场系数

0.0

0.5

18

vmax

序号

符号

SPICE关键字

名   称

隐含值

单位

举例

C4

ISC（C4IS）

B-C结泄露饱和电流

0

A

IKR

IKR

反向β大电流下降点

∞

A

10-13A

nSEO靠我CL

NC

B-C结泄露发射系数

2

2

VB

VAR

反向欧拉电压

∞

V

200V

REE?

RE

发射极体电阻

0

Ω

1Ω

RBM

RBM

大电流时最小基极欧姆电阻

RB

Ω

10Ω

IRB

IRB

基极电阻下降到最小值的1/2时的电流

∞

A

0SEO靠我.1A

VτF

VTF

描述TF随VBC变化的电压

PτF

PTF

F=1/（2πτF）

0

φE

VJE

B-E结内建电势

0.75

V

0.70V

φC

VJC

B-C结内建电势

0.75

V

0.70V

CSUB

CJS

C-衬底零偏置电SEO靠我容

0

F

5pF

φS

VJS

衬底结内建电势

0.75

V

0.70V

mS

MJS

衬底结梯度因子

0.33

0.35

FC

FC

正偏压耗尽电容公式中的系数

0.5

XCJC

XCJC

B-C结耗尽电容连到基

摘自：http://roySEO靠我royyy.blog.163.com/blog/static/137650617201010944336289/

符号

SPICE关键字

名      称

默认值

单位

举例

1

VTO

VTO

零偏阈值电压

1.0

V

1.SEO靠我0V

2

KP

KP

跨导参数

2 10-14

A/V2

3 10-5A/V2

3

γ

GAMMA

体材料阈值参数

0.0

V1/2

0.35 V1/2

4

2 P

PHI

表面电势

0.6

V

0.65V

5

λ

LAMBDA

沟道长度调制系数

0.SEO靠我0

V-1

0.02V-1

6

tOX

TOX

氧化层厚度

1 10-7

m

1 10-7m

7

Nb

NSUB

衬底惨杂浓度

0.0

cm-3

1 10-15cm-3

8

NSS

NSS

表面态密度

0.0

cm-2

1 10-10cm-2

9

NSEO靠我FS

NFS

快表面态密度

0.0

cm-2

1 10-10cm-2

10

Neff

NEFF

总沟道电荷系数

1

5

11

XJ

XJ

结深

0.0

m

1 10-6m

12

Ld

LD

横向扩散长度

0.0

m

0.8 10-6m

13

TPG

TPGSEO靠我

硅材料类型

1(硅栅)

0(铝栅)

14

μO

UO

载流子表面迁移率

600

cm2/(V*s)

700cm2/( V*s)

15

Ue

UCRIT

迁移率下降时临界电场

1 104

V/cm

1 104V/cm

16

Ue

UEXP

迁SEO靠我移率下降时临界电场系数

0.0

0.1

17

Ut

UTRA

迁移率下降时横向电场系数

0.0

0.5

18

vmax